[发明专利]正光阻形成倒梯形形状的工艺方法无效
| 申请号： | 200910201737.9 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102053487A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈显旻;邵平;孙飞磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正光阻形成倒梯形形状的工艺方法。包括步骤：在晶片上进行第一次涂胶，形成第一正光阻层；对所述第一正光阻层进行全面曝光，使所述第一正光阻层完全感光；在所述第一正光阻层上进行第二次涂胶，形成第二正光阻层；对所述第二正光阻层进行带光罩曝光，将所需要的图形定义到所述第二正光阻上；对晶片进行显影，形成具有倒梯形剖面的正光阻图形。本发明能形成底角角度为90～135度的倒梯形形状的正光阻图形剖面，满足产品工艺要求，并能降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 正光 形成 梯形 形状 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种正光阻形成倒梯形形状的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶片上进行第一次涂胶，形成第一正光阻层；步骤二、对所述第一正光阻层进行全面曝光，使所述第一正光阻层完全感光；步骤三、在所述第一正光阻层上进行第二次涂胶，形成第二正光阻层；步骤四、对所述第二正光阻层进行带光罩曝光，将所需要的图形定义到所述第二正光阻上；步骤五、对晶片进行显影，通过调整显影时间来控制所述图形的倒梯形剖面角度。
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