[发明专利]一种有机硅基础料的提纯方法有效
| 申请号： | 200910195148.4 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102010509A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 郭文欣;谢国庆;谢利英 | 申请（专利权）人： | 上海化工研究院 |
| 主分类号： | C08G77/34 | 分类号： | C08G77/34 |
| 代理公司： | 上海华工专利事务所 31104 | 代理人： | 谢世杰 |
| 地址： | 200062 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种有机硅基础料的提纯方法，将有机硅基础料和有机溶剂按比例放入带有搅拌的容器中，搅拌混合15～25min，转速为500～1000r/min，混合均匀后置于分离装置中，静置5～10h使之分层，得到的上层有机溶剂相，下层有机硅基础料相；分离上、下两相，将有机硅基础料相送入蒸馏装置中，真空度控制为≥750mmHg，温度控制在120～150℃，减压蒸馏后得到有机硅基础料，其低挥发物在105℃×3h条件下可以降低至0.05％以下，与交联剂、催化剂等配合，制得的有机硅橡胶的体积电阻率达到1015Ω·cm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机硅 基础 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种有机硅基础料的提纯方法，其特征是，将有机硅基础料和有机溶剂按规定比例放入带有搅拌的容器中，搅拌混合15～25min，搅拌转速为500～1000r/min，混合均匀后置于分离装置中，静置5～10h使之分层，得到的上层相为有机溶剂相，下层相为有机硅基础料相；分离上、下两相，将有机硅基础料相送入蒸馏装置中，真空度控制为≥750mmHg，温度控制在120～150℃，减压蒸馏后得到有机硅基础料。
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