[发明专利]一种反向电压保护电路及功率管装置有效
申请号: | 200910189760.0 | 申请日: | 2009-08-26 |
公开(公告)号: | CN101997305A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 梁仁光;胡胜发 | 申请(专利权)人: | 安凯(广州)微电子技术有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 510600 广东省广州科*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于功率管领域,提供了一种反向电压保护电路及功率管装置;反向电压保护电路包括:第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、反相器以及开关模块;开关模块的第一输入端连接至第一连接端,第二输入端连接至反相器的输出端,控制端接收控制信号,输出端连接主功率管的栅极,开关模块根据控制信号驱动主功率管工作。本发明提供的反向电压保护电路可以根据主功率管源极与漏极两端的电压的高低自动选择N阱的偏置电压,从而避免了主功率管体内寄生二极管的导通,达到了保护主功率管的目的;且该电路结构简单,所需要面积小,功耗低,具有很好的防范发生闩锁效应的能力,适用于不同的应用环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 反向 电压 保护 电路 功率管 装置 | ||
【主权项】:
一种反向电压保护电路,其特征在于,所述反向电压保护电路包括:第一MOS管,其栅极连接偏置电压;第二MOS管,其栅极连接电源,所述第二MOS管的源极连接至所述第一MOS管的漏极,所述第二MOS管的漏极接地;将所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的漏极连接的连接端作为第一连接端;第三MOS管,其栅极连接至所述第一连接端,所述第三MOS管的源极连接至电源;反相器,其输入端连接至所述第一连接端;第四MOS管,其栅极连接至所述反相器的输出端,所述第四MOS管的源极连接至所述第三MOS管的漏极;将所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极连接的连接端作为第三连接端;第五MOS管,其栅极连接至所述反相器的输出端,所述第五MOS管的源极连接至所述第四MOS管的漏极;所述第五MOS管的寄生二极管连接在源极与衬底之间;所述第五MOS管的衬底还连接至所述第三连接端;将所述第五MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极连接的连接端作为第四连接端;开关模块,其第一输入端连接至所述第一连接端,所述开关模块的第二输入端连接至所述反相器的输出端,所述开关模块的控制端接收控制信号,所述开关模块的输出端连接主功率管的栅极,所述开关模块根据所述控制信号驱动所述主功率管工作;所述开关模块的输出端与所述主功率管的栅极连接的连接端还连接至所述第五MOS管的漏极;主功率管的衬底连接至所述第三连接端;主功率管的第一寄生二极管连接在漏极与衬底之间,主功率管的第二寄生二极管连接在源极与衬底之间;所述第一MOS管的源极以及所述第四连接端分别连接至所述主功率管的漏极;通过所述第三连接端的电压输出关断信号对主功率管进行保护。
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