[发明专利]用于制造TFT的掩膜及制造TFT的源极/漏极的方法

摘要

本发明公开了一种用于制造薄膜晶体管的掩膜，包括：透明基板、半透膜层、第一至第四遮光层以及多个岛型遮光层。半透膜层覆盖透明基板的U形沟道形成区及矩形沟道形成区。第一及第二遮光层分别位于U形沟道形成区的外侧与内侧，而第三及第四遮光层分别位于矩形沟道形成区的相对两侧，以作为源极/漏极形成区。岛型遮光层位于矩形沟道形成区内。本发明亦揭示以该掩膜制造薄膜晶体管的源极/漏极的方法。通过本发明实施例的用于制造薄膜晶体管的掩膜以及用于制造薄膜晶体管的源极/漏极的方法，可以维持或增加薄膜晶体管的成品率，提高工艺的稳定度。

主权项

1、一种用于制造薄膜晶体管的掩膜，其特征在于，所述的掩膜包括：一透明基板，具有一U形沟道形成区及一矩形沟道形成区邻近于所述U形沟道形成区；一半透膜层设置于所述透明基板上，且覆盖所述U形沟道形成区及所述矩形沟道形成区；一第一遮光层及一第二遮光层，设置于所述半透膜层上，且分别位于所述U形沟道形成区的外侧与内侧，以作为一对第一源极/漏极形成区；一第三遮光层及一第四遮光层，设置于所述半透膜层上，且分别位于所述矩形沟道形成区的相对两侧，以作为一对第二源极/漏极形成区，其中所述第三遮光层的一端延伸至所述第一遮光层；以及多个第一岛型遮光层，设置于所述半透膜层上，且位于所述矩形沟道形成区内。