[发明专利]硅麦克风的制造方法

摘要

本发明提供一种硅麦克风的制造方法，该方法通过湿法蚀刻从单晶硅基板的离子注入层直接蚀刻出硅麦克风的振动膜。在蚀刻振动膜的过程中，基于电化学的原理，基板中的N(或P)型离子注入层施加一相应的正(或负)电压，从而使蚀刻停止在离子注入层与基板的界面处。所形成的单晶硅振动膜没有内应力且机械性能很好。另外，还可以在单晶硅振动膜中形成褶皱形状，从而提高振动膜的灵敏度。

主权项

一种硅麦克风的制造方法，包括：提供一第一导电类型的单晶硅基板，所述单晶硅基板具有平行的上表面和下表面，所述单晶硅基板具有振动膜形成区域；至少在所述振动膜形成区域内的所述单晶硅基板的上表面上形成预定厚度的第二导电类型的掺杂层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；在所述单晶硅基板的上表面上形成牺牲层，并在所述牺牲层上形成背极板材料层，所述背极板材料层至少覆盖所述振动膜形成区域；图案化所述背极板材料层，以在该背极板材料层的对应于所述振动膜形成区域的区域中形成暴露所述牺牲层的多个孔；在所述单晶硅基板的下表面上形成第一掩模层，该第一掩模层具有对应于所述振动膜形成区域的第一开口；以所述第一掩模层为掩模，利用湿法蚀刻从所述单晶硅基板的下表面蚀刻所述单晶硅基板，其中对所述掺杂层施加一电压以使所述掺杂层与所述单晶硅基板之间形成的PN结反向偏置，所述蚀刻在所述掺杂层与所述单晶硅基板之间的界面处停止；透过所述背极板材料层中的孔蚀刻所述背极板材料层与所述掺杂层之间的部分牺牲层，以在由剩余的牺牲层间隔的所述背极板材料层与所述掺杂层之间形成一空腔，从而形成由具有多个孔的所述背极板材料层形成的背极板和由所述掺杂层形成的振动膜。