[发明专利]曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910157620.5 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101750879A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 宋柱京;尹炯舜 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法，包括：利用包括遮光图案和平行于遮光图案布置的辅助图案的曝光掩模来执行曝光和显影工序，以避免在半导体基板上的晶胞区域中形成主要图案时产生浮渣现象，从而改善半导体器件的特性、可靠性和成品率。因此，该方法使得可以实现半导体器件的高度集成。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 使用 掩模来 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光掩模，包括：线形遮光图案；以及辅助特征，其中，所述线形遮光图案和所述辅助特征具有大致相同的斜率。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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