[发明专利]双向气流的硅晶体生长装置

摘要

本发明公开了一种双向气流的硅晶体生长装置，包括有炉体，炉体内腔中置有筒形的加热器，加热器底部的两个电极分别嵌入炉体的底部，加热器内腔中设置有石墨坩埚，石墨坩埚通过穿过炉体底部的连杆支撑固定，炉体的上口搁置有可伸入到石墨坩埚内腔中的导流筒，所述的炉体顶部的侧壁上开有排气口，且底部开有氩气进口，所述的排气口与氩气进口通过加热器内壁与石墨坩埚外壁之间的空隙联通，炉体外套装有导气筒，导气筒的底部侧壁开有出气口，出气口与排气口之间通过所述的导气筒与炉体之间的空隙联通。本发明采用双向气流，可以降低热场内部有害气体对石墨件的腐蚀，减少了氧与石墨的接触面积及时间，使得硅液表面的氧碳化合无及有害气体在下部气体的流向带动下迅速带离热系统，有效控制了晶体中的碳含量。

主权项

双向气流的硅晶体生长装置，包括有炉体，炉体的内壁上设置有保温筒，炉体内腔中置有筒形的加热器，加热器底部的两个电极分别嵌入炉体的底部，加热器内腔中设置有石墨坩埚，石墨坩埚通过穿过炉体底部的连杆支撑固定，炉体的上口搁置有可伸入到石墨坩埚内腔中的导流筒，其特征在于：所述的炉体顶部的侧壁上开有排气口，且底部开有氩气进口，所述的排气口与氩气进口通过加热器内壁与石墨坩埚外壁之间的空隙联通，炉体外套装有导气筒，导气筒的底部侧壁开有出气口，出气口与排气口之间通过所述的导气筒与炉体之间的空隙联通，且出气口、排气口的外侧空间分别封闭。