[发明专利]支持多内存标准的内存接口电路构架和在MOS工艺上的实施无效
| 申请号： | 200910117132.1 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101930787A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈峰;王标;夏先衡;邰连梁;刘清卫;夏洪锋;李广仁 | 申请（专利权）人： | 合肥力杰半导体科技有限公司;龙迅半导体科技(合肥)有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;H03K19/0185;G06F3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于CMOS集成电路领域，针对CMOS集成电路器件提出一种混合的多模内存接口支持技术，本技术仅在支持DDR2或者DDR3接口电路上进行修改，增加一些辅助电路，对面积和功耗没有明显的增加，便能使其支持4个或更多的内存标准。本适用于CPU，SoC，ASIC和其它采用内存接口的应用芯片的设计，以提高其灵活性和兼容性。本发明描述的实施方法，已经经过两次在65nm工艺流片并验证。对本发明的侵权，一般可以对其实施电路的分析来判断，在无法得到其电路的情况下，可以对其芯片进行解剖、拍照的反向分析方法来判断。可能侵权的机构包括各种有厂、无场的芯片设计公司，研究机构、学校等。 | ||
| 搜索关键词： | 支持 内存 标准 接口 电路 构架 mos 工艺 实施 | ||
【主权项】：
一个DDR驱动和接收MOS电路结构，其中驱动包括一个带PMOS管偏置的上拉路径和一个带NMOS管偏置的下拉路径；接收包括可实时开关的匹配电阻，一个高灵敏度、大输入信号范围、大共模电平的灵敏放大器。用同一个电路，来实现对多个内存接口标准的支持(包括SDR SDRAM、Mobile SDRAM、DDR2、Mobile DDR)。
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