[发明专利]一种多晶硅铸锭用坩埚涂层以及制备方法有效
| 申请号： | 200910115095.0 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101508590A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 吕兴栋;万跃鹏;尚召华;胡动力;何亮 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/66 | 分类号： | C04B35/66;C04B41/85;C30B29/06;C01B33/02;C04B35/584 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000江西省新余市高*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种坩埚涂层，特别是一种陶瓷坩埚涂层，具体应用于多晶硅铸锭生产中，还涉及一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法。一种多晶硅铸锭用坩埚涂层，其中：所述的涂层配方中固含量包含80-99％重量比的氮化硅，1-20％重量比的含硅元素的包膜剂，烧结后总氧含量为0.2-4.9％重量比。本发明的目的在于提供一种多晶硅铸锭用坩埚涂层以及制备方法，尽可能的采用涂层中氧含量较低的技术方案，这样既能减少污染隐患，同时采用包膜技术和喷涂技术保障氮化硅层的稳定性，确保坩埚使用过程中硅锭的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 坩埚 涂层 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅铸锭用坩埚涂层，其特征在于：所述的涂层的原料配方中固含量包含80-99％重量比的氮化硅，1-20％重量比的含硅元素的包膜剂，经烧结后成型的涂层中总氧含量为0.2-4.9％重量比。
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