[发明专利]一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法无效
| 申请号： | 200910112084.7 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101591004A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 朱贤方;苏江滨;吴燕;李论雄;黄胜利;逯高清;王连洲 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法，涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品；放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌，对纳米线行辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”，直至得所需形貌的纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非晶硅 氧化物 纳米 修饰 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法，其特征在于包括以下步骤：1)TEM样品的准备：先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散，至形成颜色均匀的悬浮液时，再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置，得TEM样品；2)装样：将步骤1)得到的TEM样品放入样品座中固定好，然后将样品杆逐步推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析；3)纳米线的筛选：先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；4)纳米线的修饰：先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌，然后对纳米线进行辐照，并实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”过程，直至得到所需形貌的纳米线。
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