[发明专利]锂离子二次电池负极,其制备方法以及锂离子二次电池有效
| 申请号： | 200910106442.3 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101847708A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 魏剑锋;何龙;沈菊林;潘晓萍;戴权 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/38;H01M4/64;H01M4/04;H01M10/36;H01M10/40;H01M4/48;H01M4/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于锂离子二次电池领域，提供一种锂离子二次电池负极，其制造方法以及使用该负极的锂离子二次电池。本发明提供的锂离子二次电池负极采用负极集流体两个表面中的至少一个表面上沉积有至少两层总厚度不超过20μm的硅薄膜的方法，解决了现有技术中负极集流体表面只有一层硅薄膜时，充放电过程中由于硅的体积膨胀所造成的电池循环性能较差的技术问题，可以使常温下200个充放电循环后容量保持率达到95％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 锂离子 二次 电池 负极 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种锂离子二次电池负极，包括负极集流体和沉积于负极集流体表面上的硅薄膜，其特征在于，负极集流体两个表面中的至少一个表面上沉积有至少两层总厚度不超过20μm的硅薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910106442.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锂离子电池组
- 下一篇：一种组装便捷的电池仓
