[发明专利]一种采用启动带电路的NMOS功率开关管驱动电路有效
| 申请号： | 200910101779.5 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101630956A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 何乐年;邱建平;叶益迭;宁志华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H02M1/08 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用启动带电路的功率开关管驱动电路，包括带第一NMOS管的高电压边的功率开关管、带肖特基二极管的低电压边的功率开关管，以及用于驱动所述的第一NMOS管的启动带电路，其特征在于，所述的启动带电路由第一PMOS管和第一电容组成，其中第一PMOS管的漏极外接驱动电压，第一PMOS管的衬极和源极均接入第一电容的第一极端，第一电容的第二极端连接第一NMOS管的源极。本发明功率开关管驱动电路提供较高的NMOS管栅-源电压，减小了NMOS功率开关管的导通电阻，降低输出电压的损耗。另外，启动带电路中采用PMOS管代替原来的二极管，降低了正向导通电阻和压降，减小了损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 启动 电路 nmos 功率 开关 驱动 | ||
【主权项】：
1、一种采用启动带电路的功率开关管驱动电路，包括带第一NMOS管的高电压边的功率开关管、带肖特基二极管的低电压边的功率开关管，以及用于驱动所述的第一NMOS管的启动带电路，其特征在于，所述的启动带电路由第一PMOS管和第一电容(CBS)组成，其中第一PMOS管的漏极外接驱动电压，第一PMOS管的衬极和源极均接入第一电容(CBS)的第一极端，第一电容(CBS)的第二极端连接第一NMOS管的源极。
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