[发明专利]一种单晶硅片的清洗方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅片的清洗方法，旨在提供一种单晶硅片的清洗方法，把硅片表面的白斑、手指以及砂浆等残留物质去除干净，消除单晶硅片表面的手指印和白斑现象，使太阳能级单晶硅片的质量和转换效率得到进一步提升。它包括有以下步骤：砂浆预冲→脱胶→插片→清洗→甩干、检测。该方法通过砂浆预冲、脱胶、插片、清洗、甩干、检测，尤其采用氢氟酸溶液的浸泡和不同于常规的清洗方法以及工人在不同工序操作时，佩戴相应的手套，将硅片经过氢氟酸浸泡和清洗液等的清洗能有效地消除手指印和白斑现象。

主权项

1、一种单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：砂浆预冲→脱胶→插片→清洗→甩干、检测，其特征在于：A、砂浆预冲：把切好的硅片按顺序倒挂在预冲机的冲洗槽中，卸下上料板，按常规调整好水压，将硅片表面的砂浆冲至排水为清水为止，约40min；B、脱胶：将硅片朝上竖立放入脱胶槽中，用水管从槽底加70-80℃的温水，在温水浸泡5min左右，取出硅片，快速撕下胶条，将硅片放入温水中，水位必须浸过硅片；C、插片：将脱完胶的硅片浸泡在20℃左右的纯水中，将硅片自然插入片盒中；D、浸泡、清洗：将硅片先放入氢氟酸溶液的浸泡30-50秒，然后将浸泡过氢氟酸的硅片再依次经纯水、清洗液和纯水清洗；E、甩干、检测：将清洗干净的硅片放入甩干机中甩干，将甩干后的硅片进行检测。