[发明专利]斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法

摘要

一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。

主权项

一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层，该InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层，该InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层，该应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层，该InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形由干法刻蚀于InGaAs上波导层中，点阵周期方向与外延片解理边呈15°角度；一InP盖层，该InP盖层制作在内含二维长方光子晶体点阵图形的InGaAs上波导层上；一InP接触层，该InP接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达InP波导限制层内；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极，该正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层，该金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极，该合金电极制作在InP衬底的背面。