[发明专利]一种投影光刻中的同轴对准系统有效
| 申请号： | 200910090921.0 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101639630A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陈旺富;胡松;周绍林;杨勇;赵立新;严伟;蒋文波;徐锋;张博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 成金玉;卢 纪 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种投影光刻中的同轴对准系统，能够通过投影成像系统将掩模和硅片上的光栅标记对准，并探测投影成像系统放大倍率的变化量。对准系统组成包括：光刻投影成像系统，反射式衍射光栅标记，以及对准成像系统。照明光在掩模和硅片上的光栅产生向后的衍射光在掩模上发生干涉，通过对准成像系统探测干涉条纹来确定对准零位。本发明可以获得纳米到亚纳米级的对准精度，并且具有很强的工艺适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 投影 光刻 中的 同轴 对准 系统 | ||
【主权项】：
1、一种投影光刻中的同轴对准系统，其特征在于包括：包括光刻投影成像系统(a1)、照明激光系统(a2)、掩模(a3)、硅片(a4)、位于掩模(a3)上的反射式光栅标记(a6)、位于硅片(a4)上的反射式衍射光栅标记(a5)和对准成像系统(a8)；所述的光刻投影成像系统(a1)中的光学系统物方在掩模(a3)一侧，像方在硅片(a4)一侧；照明激光系统(a2)在掩模(a3)上的反射式衍射光栅标记(a6)处发生反射和透射衍射，透射光以利特罗角照射在硅片(a4)上的反射式衍射光栅标记(a5)并使得照明光在该反射式衍射光栅(a5)上产生按原路返回的衍射光，该衍射光透过光刻投影成像系统(a1)后在掩模(a3)面上与前述照明光在掩模(a3)上发生的反射衍射光干涉得到干涉条纹，对准成像系统(a8)将该干涉条纹成像到探测器上，根据干涉条纹的空间相位信息来探测掩模和硅片的对准位置。
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