[发明专利]一种高储能密度全有机纳米复合薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910089267.1 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101955619A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 党智敏;苑金凯 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08L79/02;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高储能密度全有机复合薄膜及其制备方法。本发明所提供的复合薄膜由基体聚偏氟乙烯PVDF和填料导电聚苯胺PANI组成；复合薄膜中，PVDF所占的体积百分比为95～99％，PANI所占的体积百分比为1～5％。本发明通过将PANI粉末、PVDF和溶剂DMF混合后，球磨12±1h，将所得前躯体溶液在玻璃板上涂膜后，于60±1℃干燥2±0.1h，得到厚度为25～30μm的高储能密度全有机复合薄膜。本发明所提供的复合薄膜具有优异的介电性能、耐压强度和储能密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高储能 密度 有机 纳米 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高储能密度全有机复合薄膜，其特征在于，所述的复合薄膜由基体聚偏氟乙烯PVDF和填料导电聚苯胺PANI组成；复合薄膜中，基体聚偏氟乙烯所占的体积百分比为95～99％，填料导电聚苯胺所占的体积百分比为1～5％；所述的复合薄膜的厚度为25～30μm。
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