[发明专利]全数字超宽带发射机有效

专利信息
申请号: 200910085480.5 申请日: 2009-05-22
公开(公告)号: CN101567703A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 裴玉奎;刘萌萌;张家琦;葛宁 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人: 朱 琨
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 全数字超宽带发射机,其特征在于,含有ASIC芯片,其中包括:乘法器和数模转换器DAC。该数字发射机主要包括乘法器和DAC两部分,均由数字电路实现。首先将基带数据符号位与本地载波相乘,得到经过频谱搬移的高频方波脉冲信号,然后将其和基带数据的其他位送入数字DAC进行波形成型和功率输出。上述全数字超宽带发射机克服了传统的采用模拟混频器和模拟功率输出级的方案具有的复杂度高、功耗高、不易实现等缺点,降低了发射机的复杂度、面积和功耗。同时,这种方案简洁实用,易于电路实现和芯片集成。
搜索关键词: 数字 宽带 发射机
【主权项】:
1、全数字超宽带发射机,其特征在于,含有ASIC芯片,其中包括:乘法器和数模转换器DAC,其中:乘法器,有一个基带数据符号位an的输入端以及一个本地载波c的输入端,这两个输入端输入的都是数字信号;数模转换器DAC,采用电流型结构,由几条电流源支路并联组成,所述的每条支路由第一MOS管和第二MOS管依次串联组成,所述各条支路中的各个所述第二MOS管源极并联后接地,栅极并联后作为所有电流源的开关,输入所述乘法器的输出信号s,决定了所述数模转换器DAC输出脉冲的中心频点,所述各条支路中的各个所述第一MOS管的源极连接到所对应的第二MOS管的漏极,所述各个第一MOS管的栅极依次分别输入所述基带数据除符号位an之外的其余从高位起的an-1,an-2,…,a1,a0位,分别控制电流大小分别为2n-1∶2n-2…∶2∶1的电流源,第ak位控制所述电流源的电流大小为2k,0≤k<n,所述各第一MOS管的漏极串联后同时分别连接到发射天线和外接电感L,所述外接电感L的另一端接电源(Vdd)。
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