[发明专利]一种用于超高真空的磁控溅射靶以及靶中磁体的制备工艺

摘要

本发明公开了一种用于超高真空的磁控溅射靶以及靶中磁体的制备工艺，其中磁控溅射靶的靶阴极和靶阳极之间采用一道O型圈密封，大大减少了密封O型圈的数量，可以满足超高真空要求。本发明的靶中磁体的制备工艺，通过建立数学模型，对磁体的尺寸与形状进行有限元优化，使得靶面附近磁场平行分量分布更均匀且宽广，提高了溅射时靶材面的使用范围，有效的提高了靶材的利用率。

主权项

1.一种磁控溅射靶体中磁体的制备工艺，具体步骤为：1)根据靶材尺寸，确定磁体尺寸并建立磁体几何模型；2)对几何模型进行网格化；3)确定磁体的物理参数，包括相对磁导率和矫顽力；4)确定有限元分析的边界条件，根据有限元算法得出磁场在空间中的分布图像；5)从步骤4)中的分布图像中抽取磁体极面以上3～6mm区域内的磁场平行分量并绘制曲线；6)改变磁体磁极面的锥角角度，重新进行计算，得到一个最佳的角度，使得磁场平行分量在磁体极面以上3～6mm区域内分布尽可能宽广而均匀；7)根据所设计的磁体尺寸和形状加工磁体并充磁。