[发明专利]超高恢复应力Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910073087.4 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101696481A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 孟祥龙;傅宇东;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C22C14/00 | 分类号： | C22C14/00;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 超高恢复应力Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜及其制备方法，它属于形状记忆合金薄膜领域。本发明解决了现有Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜不能满足微驱动元件的超高单位体积输出功的问题。Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜由Ti、Cu和Ni组成。本发明方法如下：洗净玻璃，抽真空，通氩气，以镍、钛、铜作为阴极采用磁控共溅射法进行沉积，再真空热处理后随炉冷却；即得到Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜。本发明方法制备合金薄膜的晶粒尺寸为50～500nm，厚度为3～10μm，Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜具有超高恢复应力(高于1GPa)、快响应速度的优点；可满足微驱动元件的小尺寸、超高驱动力的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 恢复 应力 ti ni cu 形状 记忆 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
超高恢复应力Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜，其特征在于超高恢复应力Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜按原子百分含量由50.5％～66.6％Ti、15％～40％Cu和余量的Ni组成。
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