[发明专利]钛酸钡基陶瓷电容器介质的烧结方法

摘要

本发明公开了一种钛酸钡基陶瓷电容器介质的烧结方法，步骤为：(1)按原料的质量百分比含量Bi₂O₃ 25％～35％、Pb₃O₄ 15％～25％、ZnO 30％～40％，H₃BO₃ 10％～20％配料，混合，熔融淬冷、磨细、过筛，制备玻璃粉；(2)将初始原料钛酸钡进行预处理，外加Nb₂O₅ 0.5％～2％，玻璃粉4％～10％配料，制备生坯；(3)将烧结炉预先加热到1000℃～1250℃，直接烧结，于400℃～950℃淬火，制得钛酸钡基陶瓷电容器介质。本发明使用常规生产设备，烧结时间短、表面不炸裂、材料致密，其介电常数在1700左右，损耗小于1.5％，具有较宽的工作温区(-55℃～150℃)、良好的容量温度特性，满足X8R要求；烧结炉可以循环使用，提高了生产效率，降低了生产成本。

主权项

1.一种钛酸钡基陶瓷电容器介质的烧结方法，具有如下步骤：(1)制备玻璃粉(a)按玻璃粉原料的质量百分比含量，将Bi2O3 25％～35％、Pb3O4 15％～25％、ZnO 30％～40％，H3BO3 10％～20％充分混合；(b)将步骤(a)充分混合的玻璃粉原料熔融淬冷、磨细、过筛，制得玻璃粉；(2)制备钛酸钡生坯(a)将初始原料钛酸钡进行预处理，按照钛酸钡的质量百分比含量为100％计，外加Nb2O50.5％～2％，玻璃粉4％～10％配料；(b)将步骤(a)所配的原料与去离子水混合，球磨3～8小时，烘干；(c)向烘干后的原料中外加4wt％～7wt％的石蜡作为粘合剂造粒，然后将造粒粉料过80目分样筛，在4Mpa～8Mpa下压成生坯；(3)烧结钛酸钡陶瓷(a)将生坯在500℃～600℃下排蜡3～6小时；(b)将烧结炉预先加热到1000℃～1250℃，直接放入步骤(a)排蜡后的坯体，进行烧结；(c)将步骤(b)烧结后的坯体放入400℃～950℃的炉中淬火，制得钛酸钡基陶瓷电容器介质。