[发明专利]一种高纯度大密度抗氧化钼电极及其制备方法无效
| 申请号： | 200910064838.6 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101879595A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建有;陈玉山;景永辉;梁占坡;王学杰;张松旺;陈隧印 | 申请（专利权）人： | 陈建有 |
| 主分类号： | B22F3/16 | 分类号： | B22F3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 452483 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法，钼电极的制备方法是：(1)选料：选择符合Fmo-1标准的钼粉，粒度范围为3.0-3.5μm，其他元素含量(％)≤：Fe 0.003、Ni 0.0015、Ai 0.001、Si 0.003、C 0.005、Mg 0.001、Sn 0.0005、O 0.005、Cu 0.001、Cr 0.001；(2)成型：软模装料成型；(3)压制：200MPa液压；(4)烧结：1920℃以上的中频烧结；(5)锻打：300吨电锤锻打；(6)车削：400车床车削定型。获得的钼电极经检验发现，其密度大于11g/cm2普通钼电极提高了3-6个百分点，其使用温度大于1500℃，与普通钼电极相比，提高了1-3个百分点，因此具有较强的抗氧化性能、化学性质稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 密度 氧化钼 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法，其特征在于：所述高纯度、大密度、抗氧化钼电极的制备方法是：(1)选料：选择符合Fmo-1标准的钼粉，粒度范围为3.0-3.5μm，其他元素含量(％)≤；Fe 0.003、Ni 0.0015、Ai 0.001、Si 0.003、C 0.005、Mg 0.001、Sn 0.0005、O 0.005、Cu 0.001、Cr 0.001；(2)成型：软模装料成型；(3)压制：200MPa液压；(4)烧结：1920℃以上的中频烧结；(5)锻打：300吨电锤锻打；(6)车削：400车床车削定型。
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