[发明专利]一种基于SPP的大面积干涉光刻技术无效
申请号: | 200910060090.2 | 申请日: | 2009-07-22 |
公开(公告)号: | CN101963761A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 郭小伟;刘永智;于全福 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于表面等离子体激元(SPP)的大面积干涉光刻技术,它是用两宽束光源照射高折射率的介质层,通过衰减全内反射耦合模式激发金属表面的SPP,SPP之间发生相互干涉,从而在抗蚀剂中形成大面积周期性的纳米图形。由于SPP具有近场增强的作用,因此图形具有良好的对比度;与此同时,SPP具有波长短的特点,所以能获得非常高的空间分辨率,能实现超衍射极限的纳米线条。相对于传统纳米光刻技术,本发明技术光刻成本低、可大面积曝光、不需要复杂昂贵的高数值孔径光学成像系统,在极大规模集成电路和新型光、电子纳米结构器件制作上具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 spp 大面积 干涉 光刻 技术 | ||
【主权项】:
一种基于SPP的大面积干涉光刻技术,通过传统衰减全内反射耦合模式的Kretschmann结构装置来加以实现。两宽束TM光对称地入射到高射率棱镜的表面,进入到棱镜里面后,满足动量匹配条件下,在金属下表面产生SPP干涉,形成高分辨率的周期性纳米图形。
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