[发明专利]一种Al2O3/Nb2O5复合介质膜铝电极箔的制备方法有效
申请号: | 200910060069.2 | 申请日: | 2009-07-22 |
公开(公告)号: | CN101651047A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 冯哲圣;孙保瑞;丁甲;陈金菊 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;H01G9/045;H01G9/055;C25D11/04 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种Al2O3/Nb2O5复合介质膜铝电极箔的制备方法,属于电子材料技术领域,涉及一种高比容复合介质膜铝电极箔的制备方法。本发明采用价格较低的Nb(OH)5制备Nb络合物溶液,将铝腐蚀箔浸润于Nb络合物溶液中,使得铝腐蚀箔表面吸附含铌络合物;然后将表面吸附有含铌络合物的铝腐蚀箔经清洗、烘干后进行高温热处理,使得铌络合物分解成为Nb2O5;最后将其进行一般意义上的化成赋能,使得铝腐蚀箔表面的Nb2O5与新生长的Al2O3复合,得到高比容Al2O3/Nb2O5复合介质膜铝电极箔。本发明可成功制得高比容Al2O3/Nb2O5复合介质膜的铝电极箔,其比容提高率可达30%左右;同时本发明具有成本较低,节能、环保,工艺过程简单、操作容易和便于控制的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 al sub nb 复合 介质 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种Al2O3/Nb2O5复合介质膜铝电极箔的制备方法,包括以下步骤:步骤1:将氢氧化铌加入到草酸水溶液中,25~70℃温度条件下搅拌,使氢氧化铌充分溶解,得到澄清的草酸铌溶液;步骤2:在步骤1所得的草酸铌溶液中加入氨水,调整溶液PH值至1~2之间;步骤3:将铝腐蚀箔浸润于步骤2所得溶液中2-15分钟,之后取出清洗并烘干;步骤4:高温处理经步骤3处理的铝腐蚀箔,温度设置在250~600度,时间10分钟~30分钟;步骤5:对经步骤4处理的铝腐蚀箔进行阳极氧化,得到Al2O3/Nb2O5复合介质膜铝电极箔。
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