[发明专利]一种高场强聚焦核磁共振磁场及制备方法无效
申请号: | 200910058465.1 | 申请日: | 2009-03-02 |
公开(公告)号: | CN101825692A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 赵导文;邓盛贤;刘波;张超 | 申请(专利权)人: | 绵阳西磁磁电有限公司 |
主分类号: | G01R33/38 | 分类号: | G01R33/38;G01R33/383 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及核磁共振磁场及制备方法,属于稀土永磁材料和核磁共振成像领域,具体为一种高场强聚焦核磁共振磁场及制备方法。一种高场强聚焦核磁共振磁场,采用双柱C型开放式结构、C型机架采用机械强度和磁导率较高的45号钢、采用复合极板,设计了一种聚磁环,同时增加了极板同竖直支撑轭铁之间的距离,且采用无源人工匀场和有源计算机辅助匀场。本发明能够制得一种高场强聚焦磁体,且工艺过程容易控制,适合批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 场强 聚焦 核磁共振 磁场 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高场强聚焦核磁共振磁场,其特征在于:采用双柱C型开放式结构,从侧面看磁体呈C型,有水平对称轴线:双柱C型机架由一对上下相互平行的轭铁和两段竖直支撑轭铁构成,两竖直支撑轭铁相互成60度角;上下两组相互平行的主磁块分别位于上下轭铁的内侧;两块相互平行的复合极板分别装在两主磁块组朝向气隙的表面,两极板之间的气隙区域即成像工作区。
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