[发明专利]一种高场强聚焦核磁共振磁场及制备方法无效

专利信息
申请号: 200910058465.1 申请日: 2009-03-02
公开(公告)号: CN101825692A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 赵导文;邓盛贤;刘波;张超 申请(专利权)人: 绵阳西磁磁电有限公司
主分类号: G01R33/38 分类号: G01R33/38;G01R33/383
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 621000 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及核磁共振磁场及制备方法,属于稀土永磁材料和核磁共振成像领域,具体为一种高场强聚焦核磁共振磁场及制备方法。一种高场强聚焦核磁共振磁场,采用双柱C型开放式结构、C型机架采用机械强度和磁导率较高的45号钢、采用复合极板,设计了一种聚磁环,同时增加了极板同竖直支撑轭铁之间的距离,且采用无源人工匀场和有源计算机辅助匀场。本发明能够制得一种高场强聚焦磁体,且工艺过程容易控制,适合批量生产。
搜索关键词: 一种 场强 聚焦 核磁共振 磁场 制备 方法
【主权项】:
一种高场强聚焦核磁共振磁场,其特征在于:采用双柱C型开放式结构,从侧面看磁体呈C型,有水平对称轴线:双柱C型机架由一对上下相互平行的轭铁和两段竖直支撑轭铁构成,两竖直支撑轭铁相互成60度角;上下两组相互平行的主磁块分别位于上下轭铁的内侧;两块相互平行的复合极板分别装在两主磁块组朝向气隙的表面,两极板之间的气隙区域即成像工作区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绵阳西磁磁电有限公司,未经绵阳西磁磁电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910058465.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top