[发明专利]光刻机扫描曝光方法有效
| 申请号： | 200910046823.7 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101487988A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张俊 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻机扫描曝光方法，其在光刻机的硅平面上设置相互正交的两个方向，并将所述硅平面分为若干曝光场区域，所述光刻机上设置有可变狭缝，所述可变狭缝在所述的两个方向上分别设置有刀口，先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光，当对曝光场区域其中一个方向扫描曝光时，所述可变狭缝在该方向的刀口从闭合状态开始逐渐打开至最大，再逐渐缩小至闭合状态。本发明通过先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光。改善了曝光场区域Y方向的剂量均匀性，又能改善X方向的剂量均匀性，从而改善曝光剂量的系统性能，提高光刻线宽的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 扫描 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种光刻机扫描曝光方法，在光刻机的硅平面上设置相互正交的两个方向，并将所述硅平面分为若干曝光场区域，所述光刻机上设置有可变狭缝，所述可变狭缝在所述的两个方向上分别设置有刀口，其特征在于：先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光。
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