[发明专利]高效散热LED照明光源及制造方法无效
申请号: | 200910038125.2 | 申请日: | 2009-03-23 |
公开(公告)号: | CN101614333A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 吴俊纬 | 申请(专利权)人: | 广州南科集成电子有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V29/00;F21V23/00;H01L23/36;H01L33/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510663广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种成本低、散热效果好、生产效率及制造精确度高的高效散热LED照明光源及制造方法。光源包括LED裸芯片(1)、金属基板(2),金属基板(2)上沉积有导热绝缘层,导热绝缘层上沉积有金属层(6),金属层(6)上覆盖有防焊层(8),导热绝缘层由二氧化硅层(30)或氮化硅层(31)或二氧化硅层(30)与氮化硅层(31)组合构成,金属层(6)根据LED裸芯片(1)的串并联连接关系构成预先设定的电路连线及图形,LED裸芯片(1)分为若干组正装或倒装在各金属层(6)上,各组内部的LED裸芯片(1)之间及若干组LED裸芯片(1)之间均通过金属层(6)相连接组成电路。方法包括金属基板预处理、形成导热绝缘层、金属层及防焊层、LED裸芯片封装的步骤。 | ||
搜索关键词: | 高效 散热 led 照明 光源 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高效散热LED照明光源,包括LED裸芯片(1),所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12),其特征在于:所述高效散热LED照明光源还包括金属基板(2),所述金属基板(2)的上表面沉积有导热绝缘层,所述导热绝缘层上沉积有金属层(6),所述金属层(6)的上表面除焊点、芯片及打线位置外的其余部分覆盖有防焊层(8),所述导热绝缘层由二氧化硅层(30)或氮化硅层(31)或二氧化硅层(30)与氮化硅层(31)组合构成,所述金属层(6)根据所述LED裸芯片(1)的串并联连接关系构成预先设定的电路连线及图形,所述LED裸芯片(1)分为若干组正装或倒装在各所述金属层(6)上,各组内部的所述LED裸芯片(1)之间及若干组所述LED裸芯片(1)之间均通过所述金属层(6)相连接组成电路,所述金属层(6)引出阳极接点(60)和阴极接点(61)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州南科集成电子有限公司,未经广州南科集成电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910038125.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种微纳PSS制备用软膜结构
- 下一篇:发光装置及其制造方法