[发明专利]预充放电LVDS驱动器无效
| 申请号： | 200910035050.2 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101656476A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 徐建;牛小康;王志功;李连鸣;江汉 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H02M3/10 | 分类号： | H02M3/10;H02M3/145 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许 方 |
| 地址： | 210096江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了模拟集成电路中的一种预充放电LVDS(低电压差分信号)驱动器。该驱动器的结构是在传统LVDS驱动器电路上增加由两个开关电流源和一个预充放电容组成的预充放电路，其中：两个开关电流源分别增加在传统驱动器桥接开关的两端，且受nD信号控制：nD为高电平时电流源开启，nD为低电平时电流源关闭；预充放电容跨接在桥接开关的两端，用做电荷预存储，以进一步提高边沿充放电速度。本发明的预充放电机制大大减小了负载寄生电容对电路工作速度的影响，同时所需的额外电流极少。 | ||
| 搜索关键词： | 放电 lvds 驱动器 | ||
【主权项】：
1、一种预充放电LVDS驱动器，包括由第一至第四NMOS晶体管(M1、M2、M3、M4)、第一和第二电流源(Issa、Issb)及负载(RL)组成的LVDS驱动器电路，其中：第一至第四NMOS晶体管(M1、M2、M3、M4)构成桥式结构，第一NMOS晶体管(M1)的源极分别连接第二电流源(Issb)的输入端和第二NMOS晶体管(M2)的源极，第二电流源(Issb)的输出端接地，第二NMOS晶体管(M2)的漏极分别连接第三NMOS晶体管(M3)的源极和负载(RL)的一端，第三NMOS晶体管(M3)的漏极分别连接第一电流源(Issa)的输出端和第四NMOS晶体管(M4)的漏极，第一电流源(Issa)的输入端连接电源，第四NMOS晶体管(M4)的源极分别连接第一NMOS晶体管(M1)的漏极和负载(RL)的另一端，其特征在于：还包括由第一和第二开关电流源(Ia、Ib)及预充放电容(Cp)组成的预充放电路，其中：第一开关电流源(Ia)的输出端分别连接第三NMOS晶体管(M3)的漏极、第一电流源(Issa)的输出端、第四NMOS晶体管(M4)的漏极和预充放电容(Cp)的一端，第一开关电流源(Ia)的输入端连接电源，第二开关电流源(Ib)的输入端分别连接第二NMOS晶体管(M2)的源极、第二电流源(Issb)的输入端、第一NMOS晶体管(M1)的源极和预充放电容(Cp)的另一端，第二开关电流源(Ib)的输出端接地。
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