[发明专利]一种大直径硅晶体生长装置

摘要

本发明公开了一种大直径硅晶体生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的保温系统上部设有保温盖板及炉底保温结构，所述的保温盖板采用双层结构，即互相叠合的上保温盖板(1)和下保温盖(2)，在所述的上保温盖板(1)和下保温盖(2)之间的空隙部分，填充石墨碳毡。采用上述技术方案，可用来拉制8寸及8寸以上硅单晶，相对于现有技术，在节能降耗及惰性气体的导向上更具优势，增加了保温系统的保温效果，降低热辐射散热，改变熔体内温度梯度，降低横向温度梯度变化，使得熔体液面温度相对稳定，有利于硅单晶的生长；改善气流导向装置，避免出现气体紊流。

主权项

一种大直径硅晶体生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的保温系统上部设有保温盖板及炉底保温结构，其特征在于：所述的保温盖板采用双层结构，即互相叠合的上保温盖板(1)和下保温盖(2)，在所述的上保温盖板(1)和下保温盖(2)之间的空隙部分，填充石墨碳毡。