[发明专利]闪存盘无效
| 申请号： | 200910030823.8 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101866678A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 庄志青;黄明 | 申请（专利权）人： | 常州南基天盛科技有限公司;苏州亮智科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213014 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存盘，显示了一种新的N列M+1(N、M为自然数)行的闪存阵列结构，其中N列M行闪存芯片由MLC闪存芯片组成，最后一行由SLC闪存芯片组成，该发明可扩展闪存阵列结构，可以保持像MLC闪存芯片组成的闪存系统的大容量的特点，又可以具有像SLC闪存芯片组成的闪存系统的高可靠性和高性能的特点，使闪存系统的性能价格比达到最佳；同时可以最佳的分配系统区和用户区，即用户区由所有MLC闪存芯片组成，系统区由所有SLC闪存芯片组成，系统区通常用于储存重要数据。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存盘 | ||
【主权项】：
一种闪存盘，包括通过闪存总线连接的至少一个微处理器，至少一个主机接口，至少一个内部缓存，多个闪存控制器和闪存芯片阵列，闪存阵列被分成数行数列，不同闪存控制器控制不同的闪存列，而每个闪存控制器用一个共享的闪存总线，通过芯片片选控制这列之内的所有行闪存芯片，其特征在于：所述闪存芯片的阵列是N列M+P行的结构(M，N，P皆为自然数)，其中N列M行闪存芯片由MLC闪存芯片组成，第M+1行至第M+P行由SLC闪存芯片组成。
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