[发明专利]高红外辐射率堇青石陶瓷基片及制备工艺和高红外辐射率电热复合陶瓷发热片无效
申请号: | 200910030628.5 | 申请日: | 2009-04-17 |
公开(公告)号: | CN101538151A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 焦永峰;洑义达;陆婵娟 | 申请(专利权)人: | 江苏省陶瓷研究所有限公司 |
主分类号: | C04B35/195 | 分类号: | C04B35/195;C04B35/622;H05B3/22 |
代理公司: | 宜兴市天宇知识产权事务所 | 代理人: | 李妙英 |
地址: | 2142*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种高红外辐射率堇青石陶瓷基片及高红外辐射率电热复合陶瓷发热片,属于功能陶瓷和电热材料技术领域,陶瓷基片为固溶体型堇青石体系,主要原料为Al2O3,SiO2,Mg(OH)2,ZnO,将原料按配比混合后采用球磨、干燥、造粒、成型和烧结等工序得到Zn掺杂的高红外辐射率堇青石陶瓷基片,该基片在8~14μm波段内红外发射率高达95%以上,然后在该基片的一个侧面复合一层电热膜,并在电热膜两端制作金属电极,得到高红外辐射率电热复合陶瓷发热片,具有发热效率高,红外辐射率高等特点,可以应用于工业加热、农产品生产加工、民用取暖和医用理疗等方面。 | ||
搜索关键词: | 红外 辐射 青石 陶瓷 制备 工艺 电热 复合 发热 | ||
【主权项】:
1.高红外辐射率堇青石陶瓷基片,为固溶体型堇青石体系,其特征在于组份原料的重量百分配比为33-38% Al2O3、42-47% SiO2、10-15% Mg(OH)2、1-8% ZnO。
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