[发明专利]低温水热法制备二氧化钛纳米棒阵列复合电极的方法

摘要

低温水热法制备二氧化钛纳米棒阵列复合电极的方法，制备步骤为：先将钛基片清洗干净，再将钛基片抛光，蒸馏水冲洗，最后烘干待用；将烘干的钛基片放入装有碱性溶液的反应釜中，将反应釜密封后加热，维持温度反应1～120h；反应结束后冷却至室温；冷却结束后将反应釜内制备得到的复合电极取出用蒸馏水冲洗，冲洗后的电极平放在Al₂O₃陶瓷片上，在空气中加热，再冷却到室温后取出，即可获得TiO₂纳米棒阵列复合电极。本发明可以实现附着在不同基底上的钛膜原位生成结晶性的TiO₂纳米棒阵列，只要通过一步水热法就可以得到这种基底/钛膜/TiO₂纳米棒阵列或者是钛基体/TiO₂纳米棒阵列的结构，其中钛膜可以作为优良的导电层，大大拓展其应用范围。

主权项

1. 低温水热法制备二氧化钛纳米棒阵列复合电极的方法，其特征在于制备步骤为：a. 钛基材的处理：先将钛基片清洗干净，再将钛基片在HF浓度为1～38.2wt％的氢氟酸溶液、HNO3浓度为1～65wt％的硝酸溶液和蒸馏水组成的混合溶液中抛光1～60min，所述混合溶液中氢氟酸溶液:硝酸溶液:蒸馏水的体积比为1:1:5～1:10:100，蒸馏水冲洗，最后烘干待用；b. 二氧化钛纳米棒阵列复合电极的制备：将烘干的钛基片放入装有碱性溶液的反应釜中，碱性溶液的体积占反应釜容积的1/5～4/5；将反应釜密封后加热，加热速率为1℃/min～20℃/min，加热至60℃～280℃，维持温度反应1～120h；反应结束后冷却至室温；冷却结束后将反应釜内制备得到的复合电极取出用蒸馏水冲洗，冲洗后的电极平放在Al2O3陶瓷片上，在空气中以5℃·min-1速度升温至300-700℃，达到所需温度后控温保持2h，再冷却到室温后取出，即可获得TiO2纳米棒阵列复合电极。