[发明专利]会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置无效
| 申请号： | 200910010112.4 | 申请日： | 2009-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN101476110A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 任春生;张家良;王德真;王友年 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属等离子体薄膜沉积技术领域，涉及会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置。其特征在于，装置主体为一非平衡磁控；在非平衡磁控溅射靶与样品台之间加入ICP增强电离放电，使磁控溅射产物电离度得到有效提高；在非平衡磁控溅射靶下方分别加入三圈环状永久磁铁，与非平衡磁控溅射磁场闭合，沿放电室壁产生一闭合磁场分布，有效约束放电等离子体，进一步提高磁控溅射产物电离度，改善放电等离子体空间分布的均匀性；本发明的效果在于，在大大提高了非平衡磁控溅射放电等离子体密度与空间分布均匀性的基础上，利用该装置可以制备出高质量薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 约束 icp 增强 电离 平衡 磁控溅射 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置，其特征在于：装置主体为一非平衡磁控外加ICP增强电离与会切磁场约束。在非平衡磁控溅射靶与样品台之间加入ICP增强放电，在非平衡磁控溅射靶下方分别加入三圈环状永久磁铁，与非平衡磁控溅射磁场闭合，沿放电室器壁产生一闭合磁场分布。
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