[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200910007435.8 | 申请日： | 2002-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101488366A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 山岡雅直;石橋孝一郎;松井重纯;長田健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C5/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及混合装配有逻辑电路和SRAM电路的系统LSI，特别是涉及减小漏电流，减小备用状态的功耗的半导体器件。在系统LSI中的逻辑电路上设置电源开关，在备用时，切断该开关以减小漏电流。同时，在SRAM电路中，控制衬底偏压以减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，具有：具备第1MIS晶体管、第2MIS晶体管、第3MIS晶体管和第4MIS晶体管的第1存储单元；具备第5MIS晶体管、第6MIS晶体管、第7MIS晶体管和第8MIS晶体管的第2存储单元，上述第1～第8MIS晶体管皆为N沟型，且上述第1MIS晶体管的栅极绝缘膜厚度比上述第5MIS晶体管的栅极绝缘膜厚度小。
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