[发明专利]带保护电路的磁能再生开关无效
申请号: | 200880131963.8 | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN102217177A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 褔田志郎 | 申请(专利权)人: | 莫斯科技株式会社 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供带保护电路的磁能再生开关。在至少由2个反向导通型半导体开关和2个电容器构成的磁能再生开关中,具有保护电路和控制方法的带保护电路的磁能再生开关能够用作控制器或限流器,该保护电路用于保护电容器不受过电压或短路放电的影响,并且,保护反向导通型半导体开关和负载免受过电压或过电流。 | ||
搜索关键词: | 保护 电路 磁能 再生 开关 | ||
【主权项】:
一种带保护电路的磁能再生开关,其具有:磁能再生开关,其插入于交流电源与负载之间,蓄积电流切断时的电流的磁能而再生到所述负载中;以及保护单元,其用于保护该磁能再生开关免受过电压或过电流,其中,所述磁能再生开关具有:桥电路,其由2个串联连接的反向导通型半导体开关和2个串联连接的二极管构成;2个串联连接的电容器,它们相对于所述2个串联连接的二极管分别并联连接;以及控制单元,其控制所述反向导通型半导体开关的栅极控制信号的相位,以与所述交流电源的频率同步地,交替地对所述反向导通型半导体开关进行接通/断开控制,所述保护单元具有:电压检测部,其连接在所述桥电路的直流端子之间,检测所述2个串联连接的电容器的两端电压;以及放电电路,其连接在所述桥电路的所述直流端子之间,由放电电阻和放电开关串联连接而成,对所述放电开关的栅极进行如下控制:在所述电压检测部的输出超过规定值时,使所述放电开关短路,经由所述放电电阻来释放所述电容器的电荷。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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