[发明专利]对形状记忆材料中的相变进行表征的方法有效
| 申请号： | 200880119462.8 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101889200A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | M·A·马努松;F·J·刘 | 申请（专利权）人： | 库克公司;萨宾公司 |
| 主分类号： | G01N25/48 | 分类号： | G01N25/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国印*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于表征形状记忆材料试样的相变的方法必须记录所述试样在加热和冷却过程中的数据。沿着第一方向改变所述试样的温度到第一温度，所述第一温度足以在记录的数据中限定第一拐折和第二拐折。沿着第二方向改变所述试样的温度到第二温度，所述第二温度足以在数据中限定第三拐折。所述第三拐折是通过重叠第一亚拐折和第二亚拐折形成的。沿着第一方向改变所述试样的温度到第三温度，所述第三温度足以限定所述第一拐折但不足以限定所述第二拐折。随后沿着第二方向改变所述试样的温度到第四温度，所述第四温度足以在所记录的数据中限定所述第二亚拐折。 | ||
| 搜索关键词： | 形状 记忆 材料 中的 相变 进行 表征 方法 | ||
【主权项】：
对包括R相相变的形状记忆合金的相变进行表征的方法，所述方法包括：记录来自包括形状记忆合金的试样在加热和冷却过程中的数据，所述形状记忆合金具有R相相变；冷却所述试样到第一温度，所述第一温度足以在记录的数据中限定第一拐折和第二拐折，所述第一拐折出现在第一温度区间内并对应于从奥氏体到R相的相变，所述第二拐折出现在第二温度区间内并对应于从R相到马氏体的相变；加热所述试样到第二温度，所述第二温度足以在记录的数据中限定第三拐折，所述第三拐折出现在第三温度区间内并且是通过重叠第一亚拐折和第二亚拐折而形成，所述第一亚拐折和第二亚拐折分别对应于从马氏体到R相的相变和从R相到奥氏体的相变；冷却所述试样到第三温度，所述第三温度足以在所记录的数据中限定所述第一拐折但不足以限定所述第二拐折，由此所述形状记忆合金具有基本完全的R相结构；加热所述试样到第四温度，所述第四温度足以在所记录的数据中限定所述第二亚拐折，所述第二亚拐折对应于从R相到奥氏体的相变。
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