[发明专利]制造磁记录介质的方法无效
| 申请号： | 200880114270.8 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101842837A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 黑川刚平;中岛悟 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使膜形成之后的磁记录介质从载体脱离的步骤之后且在将下一个膜形成基底附着到载体的步骤之前，执行对沉积并粘附到载体的表面上的碳膜进行在含氧气体中灰化去除的步骤，并且当执行对碳膜进行灰化去除的步骤时，向载体施加脉冲电压偏置。此外，在对碳膜进行灰化去除的步骤的初始阶段，与氧气浓度相比增加等离子体中的非活性气体的浓度，然后与非活性气体的浓度相比增加氧气浓度。结果，有效地减小了在基底保持载体上沉积的碳膜，抑制了由剥离沉积的膜导致的颗粒的产生，并抑制了由沉积在载体的表面上的碳膜导致的释放气体的排出。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 记录 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：将附着到载体的膜形成基底依次传送到彼此连接的多个室中；在所述膜形成基底上至少形成磁性膜和碳保护膜；使膜形成之后的所述磁记录介质从所述载体脱离；在产生于室中的含氧等离子体中对沉积且粘附到所述载体的表面上的所述碳膜进行灰化去除；将下一个膜形成基底附着到所述载体；以及其中当执行对所述碳膜进行所述灰化去除的步骤时，向所述载体施加偏置电压。
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