[发明专利]管理远紫外(EUV)光刻装置的腔之间的气体流动的系统无效

专利信息
申请号: 200880105064.0 申请日: 2008-08-15
公开(公告)号: CN101790763A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: A·N·贝卡诺弗;D·C·勃兰特;I·V·福缅科夫;W·N·帕特洛 申请(专利权)人: 西默股份有限公司
主分类号: G21G4/00 分类号: G21G4/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 刘佳;袁逸
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种气体流动管理系统,包括:至少部分地围住第一空间和第二空间的第一和第二密封壁;在第一空间中产生等离子体的系统,该等离子体发出远紫外光;约束从第一空间流向第二空间的流动的伸长本体,该本体至少部分地围住一过道并具有使EUV光从第一空间进入过道的第一开口端以及使EUV光离开过道进入第二空间的第二开口端,该本体的形状建立相对第一和第二端具有减小横截面积的位置;以及离开一孔口的气体流,该孔口被设置成在本体的第一端和具有减小横截面积的位置之间的某一位置将气体引入所述过道。
搜索关键词: 管理 紫外 euv 光刻 装置 之间 气体 流动 系统
【主权项】:
一种远紫外光刻装置的流体管理系统,所述系统包括:至少部分地围住第一空间的第一围封壁;在所述第一空间中产生等离子体的系统,所述等离子体发射出远紫外光;至少部分地围住第二空间的第二围封壁;约束从所述第一空间流向所述第二空间的流体的伸长本体,所述本体至少部分地围住过道并具有使EUV光从所述第一空间进入所述过道的第一开口端以及使EUV光离开所述过道进入所述第二空间的第二开口端,所述本体具有建立相对所述第一和第二端具有减小横截面积的位置的形状;以及离开孔口的气体流,所述孔口被设置成在所述本体的所述第一端与所述具有减小横截面积的位置之间的位置将气体引入所述过道。
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