[发明专利]热电子发射极和包括这种热电子发射极的X射线源有效
申请号: | 200880100019.6 | 申请日: | 2008-07-17 |
公开(公告)号: | CN101755321A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | S·胡特曼 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01J35/06 | 分类号: | H01J35/06;H01J1/13 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 提议了一种热电子发射极(1),其包括:包括可加热的平的发射表面(3)的内部部分(2)和包括基本包围所述发射表面的周围表面(6)的外部部分(4)以及用于将所述发射表面加热至进行热电子发射的温度的加热布置。所述外部部分在远离所述发射表面的连接区域(10)中机械连接至所述内部部分。此外,所述周围表面在远离所述连接区域的隔离区域中例如通过间隙(14)与所述发射表面热隔离。通过提供包围所述发射表面的周围表面,可以获得改进的电子发射分布和均匀性,其中所述周围表面可以与所述发射表面处于相近的电势,但可以具有比所述发射表面充分更低的温度而不影响所述发射表面中的温度分布。 | ||
搜索关键词: | 电子 发射极 包括 这种 射线 | ||
【主权项】:
一种热电子发射极(1),包括:内部部分(2),其包括可加热的平的发射表面(3);外部部分(4),其包括基本包围所述发射表面的周围表面(6);加热布置(20),其用于将所述发射表面加热至进行热电子发射的温度;其中,所述外部部分在远离所述发射表面的连接区域(10)中机械地连接至所述内部部分;其中,所述周围表面在远离所述连接区域的隔离区域中与所述发射表面热隔离。
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