[发明专利]导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离剂、抗蚀剂膜的剥离方法及具有已图案化的导电性高分子的基板无效
| 申请号： | 200880020064.0 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101681131A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 井原孝 | 申请（专利权）人： | 东亚合成株式会社;鹤见曹达株式会社;长濑化成株式会社;长濑产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱 丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供从导电性高分子剥离抗蚀剂膜时不仅剥离性优异，且未对导电性高分子有不良影响的剥离剂，及提供导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离方法。另外，提供具有导电性良好、已图案化的导电性高分子的基板。本发明的导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离剂，其特征在于含有选自如下非质子性有机溶剂(a)和有机溶剂(b)中的至少一种有机溶剂：非质子性有机溶剂(a)为选自二烷基砜类、二烷基亚砜类、碳酸亚烃酯类及烷内酯类中且不含有氮原子的非质子性有机溶剂，有机溶剂(b)为化学结构中具有氮原子且为伯胺化合物、仲胺化合物及有机季铵盐以外的有机溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 高分子 抗蚀剂膜 剥离 方法 具有 图案 | ||
【主权项】：
1.一种导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离剂，其特征在于，含有选自如下非质子性有机溶剂(a)和有机溶剂(b)中的至少一种有机溶剂：非质子性有机溶剂(a)为选自二烷基砜类、二烷基亚砜类、碳酸亚烃酯类及烷内酯类中且不含有氮原子的非质子性有机溶剂，有机溶剂(b)为化学结构中具有氮原子且除了伯胺化合物、仲胺化合物及有机季铵盐以外的有机溶剂。
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