[发明专利]隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置无效
| 申请号： | 200880019712.0 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101689599A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 恒川孝二;永峰佳纪 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R33/09;G11B5/39;H01F10/16;H01F10/32;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种兼具高MR比和低磁致伸缩的隧道磁阻薄膜。所述隧道磁阻薄膜为具有磁化固定层、隧道势垒层、磁化自由层的隧道磁阻薄膜，所述隧道势垒层为具有(001)取向的氧化镁晶粒的氧化镁膜，所述磁化自由层为第一磁化自由层与第二磁化自由层的层叠结构，所述第一磁化自由层由含有Co原子、Fe原子和B原子的体心立方结构或含有Co原子、Ni原子、Fe原子和B原子的体心立方结构的(001)取向的合金所构成，所述第二磁化自由层由含有Fe原子和Ni原子的面心立方结构的合金所构成。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 薄膜 磁性 多层 制作 装置 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻薄膜，其特征在于，其为具有磁化固定层、隧道势垒层、磁化自由层的隧道磁阻薄膜，所述隧道势垒层为具有(001)取向的氧化镁晶粒的氧化镁膜，所述磁化自由层为第一磁化自由层与第二磁化自由层的层叠结构，所述第一磁化自由层由含有Co原子、Fe原子和B原子的体心立方结构或含有Co原子、Ni原子、Fe原子和B原子的体心立方结构的(001)取向的合金所构成，所述第二磁化自由层由含有Fe原子和Ni原子的面心立方结构的合金所构成。
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