[发明专利]集成电路低噪声放大器无效
| 申请号： | 200880017941.9 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101836358A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | M·J·A·M·范赫尔沃特;P·C·H·A·汉斯;L·德弗里德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/68 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提出通过将低噪声放大器(LNA)集成到芯片来改善低噪声放大器(LNA)的规格。为了使用单芯片来覆盖工作频率的范围，本发明所提出的集成电路放大器包括输入端口，其被配置为从所述射频线圈接收所述磁共振信号；一个或多个LNA，其被配置为放大所接收的MR信号；以及输出端口，其被配置为输出来自所述一个或多个LNA的所放大的MR信号。RF线圈的工作频率取决于场强，如果存在匹配电路，则所述匹配电路需要被调谐至工作在RF线圈的工作频率，并且依赖于回路里的组件值，例如回路的大小。相反地，所提出的集成电路放大器能够直接与具有不同回路大小的RF线圈连接，而不需要匹配电路。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种用于放大从射频线圈接收的磁共振信号的集成电路放大器，所述集成电路放大器包括：输入端口，其被配置为从所述射频线圈接收所述磁共振信号；一个或多个低噪声放大器，其被配置为放大从所述输入端口接收的所述磁共振信号；以及输出端口，其被配置为输出来自所述一个或多个低噪声放大器的所放大的磁共振信号。
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