[发明专利]真空涂覆装置有效
| 申请号： | 200880006905.2 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101636522A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | A·津德尔;M·波佩勒;D·齐明;H·库恩;J·克施鲍默 | 申请（专利权）人： | 奥尔利康贸易股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/54;C23C16/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张群峰;刘华联 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 在真空中加工基片的内联式真空加工装置，包括至少一个装载-锁定腔(10)，用基本相同的涂覆参数组进行操作的至少两个连续沉积腔(4-7)以及至少一个卸载-锁定腔(10)，再加上用于传送、后加工和/或操纵基片通过并位于各个腔室内的装置。一种用于在这样的加工系统内的基片上沉积薄膜的方法，包括步骤：将第一基片引入装载-锁定腔内；降低所述腔室内的压力；将所述基片传送到第一沉积腔内；使用第一组涂覆参数将第一材料层沉积在所述第一基片上；将所述第一基片传送到所述内联式系统随后的第二沉积腔内而不破坏真空并使用基本相同的参数组将另一层所述第一材料层沉积在所述第一基片上。同时进行步骤f)在所述内联式真空系统内根据步骤d)处理第二基片。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于在内联式真空加工系统内的基片上沉积薄膜的方法，包括以下步骤：a)将第一基片引入装载-锁定腔(2)内；b)降低所述腔室内的压力；c)将所述第一基片传送到第一沉积腔(4)内；d)使用第一组涂覆参数将第一材料层至少部分地沉积在所述第一基片上；e)将所述第一基片传送到所述内联式系统随后的第二沉积腔(5)内而不破坏真空；f)使用基本相同的参数组将另一层所述第一材料层至少部分地沉积在所述第一基片上；g)将所述第一基片传送到装载锁定腔(10)内；h)从所述系统中取出所述第一基片其中同时进行步骤f)在所述内联式真空系统内根据步骤d)处理第二基片。
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