[发明专利]形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物有效
| 申请号： | 200880006374.7 | 申请日： | 2008-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101622580A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 榎本智之;坂口崇洋;坂本力丸;永井雅规 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供在使用电子束光刻的器件制作工序中所使用的、对于降低由电子束产生的不良影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物，和提供使用该电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段在于：包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其在基板上的形成转印图案的加工对象膜与电子束光刻用抗蚀剂膜之间成膜而使用，用于半导体器件制造。所述高分子化合物至少含有10质量％的卤原子。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电子束光刻 用抗蚀剂 下层 组合 | ||
【主权项】：
1.一种形成电子束光刻工艺用抗蚀剂下层膜的组合物，其是包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成半导体器件制造的电子束光刻工艺用抗蚀剂下层膜的组合物。
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