[发明专利]功率器件中用于自我保护的结构和方法有效
| 申请号： | 200880002585.3 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101595615A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 孙明;弗兰茨娃·赫尔伯特 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H5/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁;王敏杰 |
| 地址： | 百慕大*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明提供一种可复位的过电流自我保护的半导体功率器件，其包含有垂直功率半导体芯片与过电流保护层，该过电流保护层是由例如为正温度系数(PTC)材料的电流限制材料所构成的。所述的过电流保护层被插入设置于垂直功率半导体芯片与导电板之间，该导电板为可用来安装半导体功率器件的引线框架、金属板、印刷电路板平板(PCB plate)或印刷电路板(PCB)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 用于 自我 保护 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直半导体功率器件，其特征在于，包含：一半导体衬底，该衬底具有一上表面与一下表面，该上表面与该下表面构成一垂直电流路径，用以传导流过该垂直电流路径的电流；以及一过电流保护层，该过电流保护层由一种材料所组成，该材料构成并作为所述垂直电流路径的一部分，用以限制流过该过电流保护层的电流。
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