[实用新型]一种晶体倍频器无效
| 申请号： | 200820229363.2 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN201303203Y | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;邱英;陈卫民;凌吉武 | 申请（专利权）人： | 福州高意通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/109 | 分类号： | H01S3/109 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 | 代理人： | 方惠春;黄国强 |
| 地址： | 350014福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及激光领域，尤其涉及一种晶体倍频器。本实用新型的晶体倍频器通过在腔外倍频的倍频晶体通光的第一个面镀基频光的增透膜、倍频光的高反膜并在第二个面镀基频光的高反膜、倍频光的增透膜来提高晶体的倍频效率。通过在第二个面镀基频光的高反膜使得单次倍频剩余的基频光被反射，通过倍频晶体再次倍频得到的倍频光被镀在第一个面的倍频光高反膜反射，在出光面得到较大功率倍频光输出，从而使得基频光得到充分利用，等效于增加了晶体的长度且避免了由晶体长度大引起的强走离效应，并节省了晶体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 倍频器 | ||
【主权项】：
1、一种晶体倍频器，其特征在于：晶体倍频器的倍频晶体的通光面的其中一面有基频光的增透膜和高次谐波的高反膜，另一面有基频光的高反膜和高次谐波的增透膜。
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