[实用新型]一种防射频干扰的手机电池有效
申请号: | 200820136469.8 | 申请日: | 2008-09-23 |
公开(公告)号: | CN201278461Y | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 袁雪;罗炜 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18;H02H3/08;H02H3/20 |
代理公司: | 信息产业部电子专利中心 | 代理人: | 郭 禾 |
地址: | 518057广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种防射频干扰的手机电池,包括保护电路和电芯电路,电芯电路包括串联的保险电路和作为供电源的电芯,保护电路包括保护芯片、第一去耦电容和第二去耦电容,保护芯片的电源管脚和接地管脚之间接有第一去耦电容和皮法级的第一滤波电容,电池正极和电池负极两端接有第二去耦电容和皮法级的第二滤波电容。本实用新型所述防射频噪声干扰的手机电池,采取主动防御的方法,从被射频噪声干扰的保护芯片处主动滤除了手机射频频段的噪声,从而在实现电池的防射频噪声干扰的同时,使保护芯片不会因误判而启动过压保护或者过流保护。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 干扰 手机电池 | ||
【主权项】:
1、一种防射频干扰的手机电池,包括保护电路和电芯电路,电芯电路包括串联的保险电路和作为供电源的电芯,保护电路包括保护芯片、第一去耦电容和第二去耦电容,保护芯片的电源管脚和接地管脚之间接有第一去耦电容,电池正极和电池负极两端接有第二去耦电容,其特征在于,在保护芯片的电源管脚和接地管脚之间还接有第一滤波电容,电池正极和电池负极两端还接有第二滤波电容。
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