[实用新型]一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置在审
| 申请号： | 200820109320.0 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN201224778Y | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 朱仁德;刘旭峰 | 申请（专利权）人： | 北京天能运通晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 闫立德 |
| 地址： | 100034北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型属于一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置，采用在石英坩埚上端的炉膛内设有上下端开口的导流筒，导流筒由导流内筒和导流外筒所组成，导流内筒呈倒圆锥形，导流外筒呈圆筒形，导流外筒下周边向内收缩与导流内筒外周边连成一体，导流内筒上周边与导流外筒上周边连成一体并卡固在下保温盖上，导流内筒和导流外筒之间设有隔热材料层。本实用新型能有效保证炉膛内两种温度的互相衔接，可大幅度提高炉膛内晶体生长速度，还有提高硅晶质量，降低制作成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单晶硅 晶体生长 速度 装置 | ||
【主权项】：
1、一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置，主要由炉体、炉膛、石墨埚、石英坩埚、石墨埚杆和保温层所组成，其特征在于：在石英坩埚上端的炉膛内设有上下端开口的导流筒，导流筒由导流内筒和导流外筒所组成，导流内筒呈倒圆锥形，导流外筒呈圆筒形，导流外筒下周边向内收缩与导流内筒外周边连成一体，导流内筒上周边与导流外筒上周边连成一体并卡固在下保温盖上，导流内筒和导流外筒之间设有隔热材料层。
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