[实用新型]双金属片传感器的电子模拟器无效
| 申请号： | 200820098475.9 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN201251609Y | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王宏哲;刘青松;许响林;李彬;胡芳芳 | 申请（专利权）人： | 重庆车辆检测研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 401122重庆市北*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种双金属片的电子模拟器，其包括锁相环电路，用于频率合成；光电耦合器，用与连接锁相环电路及第一个三极管和第二个三极管；第一个三极管为NPN型三极管，第二个三极管为PNP型三极管，第一个三极管的e极与第二个三极管的c极相连，第一个三极管的c极与电源相连，两三极管的b极与光电耦合器的输出端相连，第二个三极管的e极接地；场效应三极管的G极连接在所述第一个三极管的e极和第二个三极管的c极连线上；场效应三极管的D极接电源，S极接地。本新型双金属片传感器的电子模拟器，可模拟双金属片传感器的工作过程，用于汽车、摩托车水温表和燃油表在电磁兼容测试中的电子模拟。 | ||
| 搜索关键词： | 双金属 传感器 电子 模拟器 | ||
【主权项】：
1、一种双金属片传感器的电子模拟器，其特征在于：其包括锁相环电路，用于频率合成；光电耦合器，用与连接锁相环电路及第一个三极管和第二个两三极管；其中第一个三极管为NPN型三极管，第二个三极管为PNP型三极管，第一个三极管的e极与第二个三极管的c极相连，第一个三极管的c极与电源相连，两三极管的b极与光电耦合器的输出端相连，第二个三极管的e极接地；场效应三极管的G极连接在所述第一个三极管的e极和第二个三极管的c极连线上；场效应三极管的D极接电源，S极接地，上述元件用于模拟双金属片传感器的工作过程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆车辆检测研究院有限公司，未经重庆车辆检测研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200820098475.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
