[实用新型]磁控溅射装置无效
| 申请号： | 200820030258.6 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN201250284Y | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 弥谦;杭凌侠;郭忠达;梁海峰;徐均琪;孙国斌;惠迎雪 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型属磁控溅射镀膜技术，具体涉及一种磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式，即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换，靶材利用率也只能提高到20％～35％，并且存在结构复杂，加工成本高的问题。本实用新型的一种磁控溅射装置，包括磁体、导磁体、基片和溅射靶，其特别之处在于：所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面，磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。本实用新型可以有效克服现有技术存在的靶材利用率低和沉积速率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
1、一种磁控溅射装置，包括磁体、导磁体(5)、基片(1)和溅射靶(7)，其特征在于：所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶(7)的侧面，磁体产生的磁约束磁场(2)位于基片(1)和溅射靶(7)之间并且两磁极连线平行于靶面。
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