[发明专利]多电平T型变换器拓扑结构的简化方法

摘要

本发明公开了电路设计技术领域中的一种多电平T型变换器拓扑结构的简化方法。技术方案是，对拥有k层可控支路的多电平T型变换器的拓扑结构，从第k层向第1层的方向上，依次对m层通过加上很少的元器件和去掉支路中间段的方法进行化简，第i层的可控支路是在第i+1层的基础上从两端各向中间移两个可控开关位置，并加上可控开关形成反向阻断电路，去掉第i层可控支路中间部分的可控开关，其中k-m+1≤i≤k；各层可控支路简化完成后，以横轴为对称轴，可得到横轴下半部分的镜像电路，最终形成简化的多电平T型变换器拓扑结构，其中k为一个正整数常数。本发明通过对多电平T型变换器的拓扑结构进行优化，节省了T型变换器电路的元器件，降低电路成本。

主权项

1、一种多电平T型变换器拓扑结构的简化方法，其特征是所述简化方法为，依次对k层多电平T型变换器拓扑结构的第k、k-1、……、k-m+1层进行简化，当k-m+1≤i≤k时，对第i层可控支路保留可控支路两端各2×(k-i+1)个可控开关STi1a,STi2a,······,STi2(k-i+1)a]]>和STi(2i)a,STi(2i-1)a,······,STi[2i-2(k-i+1)+1]a,]]>且在靠近多电平T型变换器拓扑结构纵轴的一端，将不与相连的一端通过加入可控开关与第i-1层的可控开关的节点相连，并在该节点至电容、C_T(t-1)的节点间加入可控开关STia11,STia12,······,STia1(k-i+1)]]>且可控开关STia1,STia11,STia12,······,STia1(k-i+1)]]>的可控电流方向是从电容的一端流向电容与C_T(t-1)的节点；第i层可控支路中，在靠近多电平T型变换器拓扑结构横轴的一端，将不与相连的一端通过加入可控开关与第i-1层的可控开关的节点相连，且可控开关的可控电流方向是从双向开关S_i-1经过可控支路S_T(i-1)流向双向开关S_i；去掉可控开关与第i层可控支路交点之间的支路；各层简化完成后，以多电平T型变换器拓扑结构的横轴为对称轴，对多电平T型变换器拓扑结构的上半部分做镜像，得到多电平T型变换器拓扑结构的下半部分电路，最终形成完整的简化后的多电平T型变换器拓扑结构。